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首次實現 “無漏電流”,大連理工團隊研發納米線橋接生長技術
更新時間:2019-6-6 11:48:44  
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日前,大連理工大學電子科學與技術學院教授黃輝團隊發明了無漏電流“納米線橋接生長技術”。
  
  該項發明解決了納米線器件的排列組裝、電極接觸及材料穩定性問題,研制出高可靠性、低功耗及高靈敏度的GaN納米線氣體傳感器,該傳感器可推廣至生物檢測以及應力應變檢測等。
  
  相較于傳統體材料和薄膜材料,半導體納米線具有許多獨特優勢:大的比表面積可以提高器件的靈敏度,易于形變可以提升材料的集成能力,納米級的導光和導電通道可以制作單根納米線光子器件。此外,納米線優異的機械性能以及靈活多樣的結構,使其具有較好的柔韌性,且可形成芯包層和交*網格結構。
  
  黃輝表示,而與MEMS器件相比,半導體納米線的尺度縮小了1000倍,面積縮小100萬倍。因此,納米線是最小的器件,也是微納傳感器的理想選擇。
  
  團隊研制出的集成納米線氣體傳感器——GaN納米線氣體傳感器,經檢測可在室溫下工作,8個月電阻變化率<0.8%,且NO2檢測限為0.5ppb,具有高穩定性、低功耗以及高靈敏度等特點。
  
  北京郵電大學電子工程學院教授忻向軍表示,該技術首次實現了“無漏電流”GaN橋接納米線,研制出的GaN納米線氣體傳感器將推動傳感芯片的發展。
  
 
來源:太平洋電腦網        
 
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